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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 10/2013

01.10.2013

pH sensing characteristics of multiwall carbon nanotubes/In2O3 composite films treatment by O2 plasma using microwave CVD

verfasst von: Shang-Chao Hung, Shang-Chou Chang, Yuan-Pin Lo

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 10/2013

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Abstract

Sensing layers of pH extended-gated field effect transistor sensors were fabricated by spraying multi-wall carbon nanotubes (MWCNTs) on In2O3 coated glass substrate and then were undergone oxygen plasma treatment by microwave chemical vapor deposition. The pH-sensitivity of the sensors increases as a function of oxygen plasma treatment duration. The Raman and X-ray spectra analysis showed that the chemical composition of the O2 plasma-treated MWCNTs/In2O3 surface depends on the plasma conditions used. The influence of the different plasma conditions versus the sensitivity of pH sensors has also been studied. Furthermore, the treatment time period can operate more efficiently by increasing flow rate of oxygen during plasma treatment.
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Literatur
1.
A.S. Modi, N. Koratkar, E. Lass, B. Wei, P.M. Ajayan, Nature 424, 171 (2003)
2.
P. Bergveld, Thirty years of ISFETOLOGY: what happened in the past 30 years and what may happen in the next 30 years. Sens. Actuators B Chem. 88, 1 (2003)CrossRef
3.
Y.Q. Miao, J.G. Guan, J.R. Chen, Ion sensitive field effect transducer based biosensors. Biotechnol. Adv. 21, 527 (2003)CrossRef
4.
V. Jankovic, J.P. Chang, J. Electrochem. Soc. 158, 115 (2011)
5.
S. Chen, J.G. Bomer, E.T. Carlen, A. Van den Berg, Nano Lett. 11, 2334 (2011)
6.
D. Lee, T. Cui, Biosens. Bioelectron. 25, 2259 (2010)
7.
L.-L. Chi, J.-C. Chou, W.-Y. Chung, T.-P. Sun, S.-K. Hsiung, Mater. Chem. Phys. 63, 19 (2000)CrossRef
8.
P.D. Batista, M. Mulato, Appl. Phys. Lett. 87, 143508 (2005)
9.
10.
J.C. Chou, D.J. Tzeng, Rare Met. Mater. Eng. 35, 256 (2006)
11.
J.C. Chou, J.L. Chiang, Sens. Actuators B 66, 106 (2000)
12.
13.
O.K. Varghese, P.D. Kichambre, D. Gong, K.G. Ong, E.C. Dickey, C.A. Grimes, Sens. Actuators B 81, 32 (2001)
14.
15.
M. Terrones, N. Grobert, J. Olivares, J.P. Zhang, H. Terrones, K. Kordatos, W.K. Hsu, J.P. Hare, P.D. Townsend, K. Prassides, A.K. Cheetham, H.W. Kroto, D.R.M. Walton, Nature 388, 52 (1997)CrossRef
16.
A. Thess, R. Lee, P. Nikolaev, H. Dai, P. Petit, J. Robert, C. Xu, Y.H. Lee, S.G. Kim, D.T. Colbert, G. Seuseria, D. Tomanek, J.E. Fischer, R.E. Smalley, Science 273, 483 (1996)CrossRef
17.
C. Journet, W.K. Maser, P. Bernier, A. Loiseau, M.L. de la Chapelle, S. Lefrant, P. Deniard, R. Lee, J.E. Fischer, Nature 388, 756 (1997)CrossRef
18.
S. Fan, M.G. Chapline, N.R. Franklin, T.W. Tombler, A.M. Cassell, H. Dai, Science 283, 512 (1999)CrossRef
19.
Y.B. Fu, R.B. Ma, Y.M. Chen, D.D. Jiang, Q.Y. Zhang, X.H. Ma, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 20, 709 (2009)CrossRef
20.
A.-H. Chiou, Y.-M. Chang, W. Wen-Fa, C.-P. Chou, C.-Y. Hsu, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 23, 889 (2012)CrossRef
21.
J.T.H. Tsai, J.-S. Chen, C.-L. Sun, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 22, 1387 (2011)CrossRef
22.
M. Sánchez, R. Guirado, M.E. Rincón, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 18, 1131 (2007)CrossRef
23.
Y.-L. Luo, Q.-B. Wei, Y.-S. Chen, T.-T. Huo, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 20, 761 (2009)CrossRef
24.
L.-L. Chi, J.-C. Chou, W.-Y. Chung, T.-P. Sun, S.-K. Hsiung, Mater. Chem. Phys. 63, 19 (2000)CrossRef
25.
D.E. Yates, S. Levine, T.W. Healy, J. Chem. Soc., Faraday Trans. 1, 70 (1974)
26.
R.E.G. Van Hal, J.C.T. Eijkel, P. Bergveld, Sens. Actuators, B 24, 201 (1995)CrossRef
27.
W. Treichel, M. Ullrich, H. Voigt, M. Appel, R. Ferretti, Fresenius J. Anal. Chem. 349, 385 (1994)CrossRef
28.
A. Denisenko, A. Aleksov, E. Kohn, Diam. Relat. Mater. 10, 667 (2001)CrossRef
29.
K.S. Ahn, J.H. Kim, K.N. Lee, C.O. Kim, J.P. Hong, J. Korean Phys. Soc. 45, 158 (2004)
30.
L.H. Nguyen, T.V. Phi, P.Q. Phan, H.N. Vu, C. Nguyen-Duc, F. Fossard, Physica E 37, 54 (2007)CrossRef
31.
Y. Liu, L. Liu, P. Liu, L. Sheng, S. Fan, Diam. Relat. Mater. 13, 1609 (2004)CrossRef
32.
W. Shenggao, W. Tao, L. Yanqiong, Z. Xiujian, H. Jianjun, W. Jianhua, Plast. Sci. Technol. 9, 194 (2007)CrossRef
33.
R. Ionescu, E.H. Espinosa, E. Sotter, E. Llobet, X. Vilanova, X. Correig, A. Felten, C. Bittencourt, G. Van Lier, J.-C. Charlier, J.J. Pireaux, Sens. Actuators, B 113, 36 (2006)CrossRef
34.
A. Felten, C. Bittencourt, J.J. Pireaux, G. Van Lier, J.C. Charlier, J. Appl. Phys. 98, 074308 (2005)CrossRef
Metadaten
Titel
pH sensing characteristics of multiwall carbon nanotubes/In2O3 composite films treatment by O2 plasma using microwave CVD
verfasst von
Shang-Chao Hung
Shang-Chou Chang
Yuan-Pin Lo
Publikationsdatum
01.10.2013
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 10/2013
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-013-1301-4

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