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Microsystem Technologies
Erschienen in: Microsystem Technologies 1/2009

01.01.2009 | Technical Paper

Poly-si extensions and etching residues as a reliability risk

verfasst von: Peter Jacob

Erschienen in: Microsystem Technologies | Ausgabe 1/2009

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Abstract

Even in latest technologies, poly-silicon-related failures are well-known as a reliability risk. Due to the fact, that polysilicon reoxidizes in subsequent processing, physical failures frequently do not occur as time-zero functional failures. However, the thin reoxidation can be cracked by voltage pulses during field application. This paper describes the most important mechanisms like particles, stringers, trimming-fuse recombinations and polySi-extensions with respect to failure diagnosis, screening and reliability aspects.
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Literatur
Bauch H (1998) Smart fabrication screening-HV-screening. In: Bosch presentation in Erfurt (Germany) at the workshop smart fabrication QM. Funded by German Ministry of Education and Research
Khalil MA, Wey CL (2001) High-voltage stress test paradigms of analog CMOS ICs for gate-oxide reliability enhancement. In: 19th IEEE proceedings on VLSI test symposium, VTS 2001. pp 333–338
Metadaten
Titel
Poly-si extensions and etching residues as a reliability risk
verfasst von
Peter Jacob
Publikationsdatum
01.01.2009
Verlag
Springer-Verlag
Erschienen in
Microsystem Technologies / Ausgabe 1/2009
Print ISSN: 0946-7076
Elektronische ISSN: 1432-1858
DOI
https://doi.org/10.1007/s00542-008-0647-7

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