Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Bücher
Zeitschriften
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
ATZ-Fachkongress

Chassis.tech plus 2024


4 Kongresse in einer Veranstaltung

Treffen Sie in München die Fachleute von Chassis, Lenkung, Bremsen sowie Reifen/Räder.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 3/2010

01.03.2010 | Semiconductor Structures, Interfaces, and Surfaces

Reduction in absorption in quartz/Si, quartz/Si/SiO2, and SiC/Si/SiO2 structures on laser treatment

verfasst von: V. N. Lissotschenko, R. V. Konakova, B. G. Konoplev, V. V. Kushnir, O. B. Okhrimenko, A. M. Svetlichnyi

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 3/2010

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …
Vorheriger Artikel Effect of annealing on the microwave magnetoresistance of thin Ge0.96Mn0.04 films
Nächster Artikel Study of the current-voltage characteristic of the n-CdS/p-CdTe heterostructure depending on temperature

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Metadaten
Titel
Reduction in absorption in quartz/Si, quartz/Si/SiO2, and SiC/Si/SiO2 structures on laser treatment
verfasst von
V. N. Lissotschenko
R. V. Konakova
B. G. Konoplev
V. V. Kushnir
O. B. Okhrimenko
A. M. Svetlichnyi
Publikationsdatum
01.03.2010
Verlag
SP MAIK Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 3/2010
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782610030061

Weitere Artikel der Ausgabe 3/2010

Semiconductors 3/2010 Zur Ausgabe

Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures

GaAsSb/GaAs strained structures with quantum wells for lasers with emission wavelength near 1.3 μm

Atomic Structure and Nonelectronic Propertties of Semiconductors

Self-diffusion parameters in carbon-subgroup crystals

Physics of Semiconductor Devices

Si:Er/Si diode structures for observing room-temperature electroluminescence at a wavelength of 1.54 μm

Electrical and Optical Properties of Semiconductors

Features of an intermetallic n-ZrNiSn semiconductor heavily doped with atoms of rare-earth metals

Low-Dimensional Systems

Effect of irradiation on the luminescence properties of low-dimensional SiGe/Si(001) heterostructures

Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures

Secondary cluster ions Ge 2 − and Ge 3 − for improving depth resolution of SIMS depth profiling of GeSi/Si heterostructures

Premium Partner

    Bildnachweise