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Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 12/2023

01.04.2023

Revived BBFTO double perovskite with improved dielectric properties for some possible device applications

verfasst von: Lutu Sahoo, B. N. Parida, Nimai C. Nayak, R. K. Parida

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 12/2023

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Abstract

A solid-state reaction procedure was followed to synthesize the BaBi1.4Fe0.6TiO6 ceramic. To compensate for the Bi3+ evaporation during the high-temperature sintering process, more Bi3+ content was so selected, further, it adds more promising ferroelectric and dielectric orders. The monoclinic crystal system formation was checked by the X-Ray Diffraction and Rietveld refinement methods. The average crystallite size is 37.46 nm, while the average grain size is 137.28 nm, which implies that a single grain might have contained some single-phase crystallites. The Energy-Dispersive X-Ray spectrum confirmed the sample’s elemental purity. The material belongs to a perovskite phase, which was supported by some appeared usual vibrational modes in the Fourier-Transform Infrared analysis. The UV–Visible absorbance property results cutoff wavelength of 590 nm and the optical direct bandgap Eg = 2.53 eV. The remanent magnetization of 2Pr = 0.782µC/cm2 supports the ferroelectric nature. The room temperature (RT) dielectric parameter at 100 Hz has a higher ɛr (1408) and lower tanδ (0.24) as well as a higher transition (Td > 350 °C) and Curie temperature (Tc > 485 °C). Deviation from the Debye-type relaxation process and semiconducting nature were observed in the sample. The conductivity nature is obedient to the Arrhenius law, which results in dc conductivity activation energy, Ea = 0.94 eV.

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Metadaten
Titel
Revived BBFTO double perovskite with improved dielectric properties for some possible device applications
verfasst von
Lutu Sahoo
B. N. Parida
Nimai C. Nayak
R. K. Parida
Publikationsdatum
01.04.2023
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 12/2023
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-023-10434-6

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