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Erschienen in: Semiconductors 3/2013

01.03.2013 | Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures

Specific features of nanosize object formation in an InSb/InAs system by metal-organic vapor-phase epitaxy

verfasst von: V. V. Romanov, P. A. Dement’ev, K. D. Moiseev

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 3/2013

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Metadaten
Titel
Specific features of nanosize object formation in an InSb/InAs system by metal-organic vapor-phase epitaxy
verfasst von
V. V. Romanov
P. A. Dement’ev
K. D. Moiseev
Publikationsdatum
01.03.2013
Verlag
SP MAIK Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 3/2013
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782613030214

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