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Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 7/2010

01.07.2010

Structural, optical and microscopic properties of chemically deposited Mo0.5W0.5Se2 thin films

verfasst von: P. P. Hankare, A. H. Manikshete, D. J. Sathe, P. A. Chate

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 7/2010

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Abstract

Mo0.5W0.5Se2 thin films were obtained by using relative simple chemical route at room temperature. Various preparative conditions of the thin films are outlined. The films were characterized by X-ray diffraction, scanning electron microscope, optical and electrical properties. The grown films were found to be uniform, well adherent to substrate and brown in color. The X-ray diffraction pattern shows that thin films have a hexagonal phase. Optical properties show a direct band gap nature with band gap energy 1.44 eV and having specific electrical conductivity in the order of 10−5 (Ωcm)−1.

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Metadaten
Titel
Structural, optical and microscopic properties of chemically deposited Mo0.5W0.5Se2 thin films
verfasst von
P. P. Hankare
A. H. Manikshete
D. J. Sathe
P. A. Chate
Publikationsdatum
01.07.2010
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 7/2010
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-009-9980-6

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