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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 11/2011

01.11.2011

Synthesis and characterization of nanostructured SnO2 film

verfasst von: D. Abdul Qader, Raid A. Ismail, Ahmed A. Mossa, Khaleel I. Hassoon

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 11/2011

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Abstract

Nanostructured tin dioxide (SnO2) film was deposited on glass substrate by thermal evaporation of tin metal followed by thermal oxidation at 600 °C for 2 h. XRD investigation confirms that grown film is crystalline tetragonal rutile. The average optical transmittance of the film was as high as 90%. The optical band gap of the nanostructured SnO2 was estimated from transmittance data and found to be 3.4 eV. The variation of electrical conductivity with temperature was investigated. The root mean square (RMS) roughness and topography of the film were investigated by atomic force microscopy and found to be 2 nm with grain size of 17 nm.
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Metadaten
Titel
Synthesis and characterization of nanostructured SnO2 film
verfasst von
D. Abdul Qader
Raid A. Ismail
Ahmed A. Mossa
Khaleel I. Hassoon
Publikationsdatum
01.11.2011
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 11/2011
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-011-0345-6

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