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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 11/2011

01.11.2011

Temperature dependence of the dielectric properties of mesoporous silica films prepared by a sol–gel route in the presence of polyether modified polydimethylsiloxane

verfasst von: Dong Dong, Ni Wang, Xiaobo Liu, Weidong Xue, Wencheng Hu

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 11/2011

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Abstract

Mesoporous silica films were prepared from tetraethylorthosilicate by an acid-catalyzed sol–gel process in the presence of side-chain polyether modified polydimethylsiloxane. The samples were characterized using Fourier transform infrared spectroscopy, differential thermal analysis and thermogravimetric analysis, field emission scanning electron microscopy, and atomic force microscopy. Furthermore, the dielectric properties of the silica films annealed at different temperatures were investigated at frequencies ranging from 1 to 200 kHz. In addition, the temperature dependence of the dielectric properties of as-prepared porous silica films is discussed in detail.
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S. Yu, T.K.S. Wong, K. Pita, X. Hu, V. Ligatchev, J. Appl. Phys. 92, 3338 (2002)CrossRef
Metadaten
Titel
Temperature dependence of the dielectric properties of mesoporous silica films prepared by a sol–gel route in the presence of polyether modified polydimethylsiloxane
verfasst von
Dong Dong
Ni Wang
Xiaobo Liu
Weidong Xue
Wencheng Hu
Publikationsdatum
01.11.2011
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 11/2011
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-011-0343-8

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