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Journal of Computational Electronics
Erschienen in: Journal of Computational Electronics 1/2019

07.12.2018

Threshold voltage modeling for a Gaussian-doped junctionless FinFET

verfasst von: Shalu Kaundal, Ashwani K. Rana

Erschienen in: Journal of Computational Electronics | Ausgabe 1/2019

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Abstract

This work presents two-dimensional (2D) analytical modeling of the threshold voltage of a double-gate junctionless FinFET with a Gaussian-doped channel by evaluating the 2D electrostatic potential distribution across the active area of the device. The influence of the fringing field lines through the spacer is also included in the modeling. To confirm the validity of the derived analytical model, technology computer-aided design (TCAD) device simulations were carried out. Furthermore, the impact of various design parameters on the threshold voltage was also studied.
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Metadaten
Titel
Threshold voltage modeling for a Gaussian-doped junctionless FinFET
verfasst von
Shalu Kaundal
Ashwani K. Rana
Publikationsdatum
07.12.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Computational Electronics / Ausgabe 1/2019
Print ISSN: 1569-8025
Elektronische ISSN: 1572-8137
DOI
https://doi.org/10.1007/s10825-018-1285-7

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