Skip to main content
Erschienen in: Rare Metals 4/2020

07.04.2020 | Highlight

Towards scalable van der Waals heterostructure arrays

verfasst von: Fa-Kun Wang, Tian-You Zhai

Erschienen in: Rare Metals | Ausgabe 4/2020

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Excerpt

Two-dimensional van der Waals heterostructures are mostly created by an arduous micromechanical exfoliation and manual restacking process. In a recent report published in Nature, Li and colleagues reported a chemical vapour deposition (CVD) method with controllable nucleation sites for synthesizing van der Waals heterostructure arrays scalably and controllably, which is a necessary step towards practical integrated circuits. …

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Literatur
[1]
Zurück zum Zitat Wang QH, Kalantar-Zadeh K, Kis A, Coleman JN, Strano MS. Electronics and optoelectronics of two-dimensional transition metal dichalcogenides. Nat Nanotech. 2012;7(11):699.CrossRef Wang QH, Kalantar-Zadeh K, Kis A, Coleman JN, Strano MS. Electronics and optoelectronics of two-dimensional transition metal dichalcogenides. Nat Nanotech. 2012;7(11):699.CrossRef
[2]
Zurück zum Zitat Zhou X, Hu XZ, Yu J, Liu SY, Shu ZW, Zhang Q, Li HQ, Ma Y, Xu H, Zhai TY. 2D layered material-based Van der Walls heterostructures for optoelectronics. Adv Funct Mater. 2018;28(14):1706587.CrossRef Zhou X, Hu XZ, Yu J, Liu SY, Shu ZW, Zhang Q, Li HQ, Ma Y, Xu H, Zhai TY. 2D layered material-based Van der Walls heterostructures for optoelectronics. Adv Funct Mater. 2018;28(14):1706587.CrossRef
[3]
Zurück zum Zitat Liu Y, Huang Y, Duan XF. Van der Waals integration before and beyond two-dimensional materials. Nature. 2019;567(7748):323.CrossRef Liu Y, Huang Y, Duan XF. Van der Waals integration before and beyond two-dimensional materials. Nature. 2019;567(7748):323.CrossRef
[4]
Zurück zum Zitat Zhou X, Hu XZ, Zhou SS, Song HY, Zhang Q, Pi LJ, Li L, Li HQ, Lü JT, Zhai TY. Tunneling diode based on WSe2/SnS2 heterostructure incorporating high detectivity and responsivity. Adv Mater. 2018;30(7):1703286.CrossRef Zhou X, Hu XZ, Zhou SS, Song HY, Zhang Q, Pi LJ, Li L, Li HQ, Lü JT, Zhai TY. Tunneling diode based on WSe2/SnS2 heterostructure incorporating high detectivity and responsivity. Adv Mater. 2018;30(7):1703286.CrossRef
[5]
Zurück zum Zitat Li J, Yang XD, Liu Y, Huang BL, Wu RX, Zhang ZW, Zhao B, Ma HF, Dang WQ, Wei Z, Wang K, Lin ZY, Yan XX, Sun MZ, Li B, Pan XQ, Luo J, Zhang GY, Liu Y, Huang Y, Duan XD, Duan XF. General synthesis of two-dimensional van der Waals heterostructure arrays. Nature. 2020;579:368.CrossRef Li J, Yang XD, Liu Y, Huang BL, Wu RX, Zhang ZW, Zhao B, Ma HF, Dang WQ, Wei Z, Wang K, Lin ZY, Yan XX, Sun MZ, Li B, Pan XQ, Luo J, Zhang GY, Liu Y, Huang Y, Duan XD, Duan XF. General synthesis of two-dimensional van der Waals heterostructure arrays. Nature. 2020;579:368.CrossRef
[6]
Zurück zum Zitat Yang TF, Zheng BY, Wang Z, Xu T, Pan C, Zou J, Zhang XH, Qi ZY, Liu HJ, Feng YX, Hu WD, Miao F, Sun LT, Duan XF, Pan AL. Van der Waals epitaxial growth and optoelectronics of large-scale WSe2/SnS2 vertical bilayer p-n junctions. Nat Commun. 2017;8(1):1906.CrossRef Yang TF, Zheng BY, Wang Z, Xu T, Pan C, Zou J, Zhang XH, Qi ZY, Liu HJ, Feng YX, Hu WD, Miao F, Sun LT, Duan XF, Pan AL. Van der Waals epitaxial growth and optoelectronics of large-scale WSe2/SnS2 vertical bilayer p-n junctions. Nat Commun. 2017;8(1):1906.CrossRef
[7]
Zurück zum Zitat Zhou X, Zhou N, Li C, Zhang Q, Hu XZ, Gan L, Li HQ, Luo J, Lü JT, Xiong J, Zhai TY. Vertical heterostructures based on SnSe2/MoS2 for high performance photodetectors. 2D Mater. 2017;4(2):025048.CrossRef Zhou X, Zhou N, Li C, Zhang Q, Hu XZ, Gan L, Li HQ, Luo J, Lü JT, Xiong J, Zhai TY. Vertical heterostructures based on SnSe2/MoS2 for high performance photodetectors. 2D Mater. 2017;4(2):025048.CrossRef
[8]
Zurück zum Zitat Zhang ZP, Gong Y, Zou XL, Liu P, Yang PF, Shi JP, Zhao LY, Zhang Q, Gu L, Zhang YF. Epitaxial growth of two-dimensional metal-semiconductor transition-metal dichalcogenide vertical stacks (VSe2/MX2) and their band alignments. ACS Nano. 2018;13(1):885.CrossRef Zhang ZP, Gong Y, Zou XL, Liu P, Yang PF, Shi JP, Zhao LY, Zhang Q, Gu L, Zhang YF. Epitaxial growth of two-dimensional metal-semiconductor transition-metal dichalcogenide vertical stacks (VSe2/MX2) and their band alignments. ACS Nano. 2018;13(1):885.CrossRef
[9]
Zurück zum Zitat Wu RX, Tao QY, Dang WQ, Liu Y, Li B, Li J, Zhao B, Zhang ZW, Ma HF, Sun GZ, Duan XD, Duan XF. van der Waals epitaxial growth of atomically thin 2D metals on dangling-bond-free WSe2 and WS2. Adv Funct Mater. 2019;29(12):1806611.CrossRef Wu RX, Tao QY, Dang WQ, Liu Y, Li B, Li J, Zhao B, Zhang ZW, Ma HF, Sun GZ, Duan XD, Duan XF. van der Waals epitaxial growth of atomically thin 2D metals on dangling-bond-free WSe2 and WS2. Adv Funct Mater. 2019;29(12):1806611.CrossRef
[10]
Zurück zum Zitat Liu Y, Duan XD, Huang Y, Duan XF. Two-dimensional transistors beyond graphene and TMDCs. Chem Soc Rev. 2018;47(16):6388.CrossRef Liu Y, Duan XD, Huang Y, Duan XF. Two-dimensional transistors beyond graphene and TMDCs. Chem Soc Rev. 2018;47(16):6388.CrossRef
[11]
Zurück zum Zitat Cao Y, Fatemi V, Fang SA, Watanabe K, Taniguchi T, Kaxiras E, Jarillo-Herrero P. Unconventional superconductivity in magic-angle graphene superlattices. Nature. 2018;556(7699):43.CrossRef Cao Y, Fatemi V, Fang SA, Watanabe K, Taniguchi T, Kaxiras E, Jarillo-Herrero P. Unconventional superconductivity in magic-angle graphene superlattices. Nature. 2018;556(7699):43.CrossRef
[12]
Zurück zum Zitat Cao Y, Fatemi V, Demir A, Fang SA, Tomarken SL, Luo JY, Sanchez-Yamagishi YD, Watanabe KJ, Taniguchi T, Kaxiras E, Ashoori RC, Jarillo-Herrero P. Correlated insulator behaviour at half-filling in magic-angle graphene superlattices. Nature. 2018;556(7699):80.CrossRef Cao Y, Fatemi V, Demir A, Fang SA, Tomarken SL, Luo JY, Sanchez-Yamagishi YD, Watanabe KJ, Taniguchi T, Kaxiras E, Ashoori RC, Jarillo-Herrero P. Correlated insulator behaviour at half-filling in magic-angle graphene superlattices. Nature. 2018;556(7699):80.CrossRef
[13]
Zurück zum Zitat Seyler KL, Rivera P, Yu HY, Wilson NP, Ray EL, Mandrus DG, Yan JQ, Yao W, Xu XD. Signatures of moiré-trapped valley excitons in MoSe2/WSe2 heterobilayers. Nature. 2019;567(7746):66.CrossRef Seyler KL, Rivera P, Yu HY, Wilson NP, Ray EL, Mandrus DG, Yan JQ, Yao W, Xu XD. Signatures of moiré-trapped valley excitons in MoSe2/WSe2 heterobilayers. Nature. 2019;567(7746):66.CrossRef
Metadaten
Titel
Towards scalable van der Waals heterostructure arrays
verfasst von
Fa-Kun Wang
Tian-You Zhai
Publikationsdatum
07.04.2020
Verlag
Nonferrous Metals Society of China
Erschienen in
Rare Metals / Ausgabe 4/2020
Print ISSN: 1001-0521
Elektronische ISSN: 1867-7185
DOI
https://doi.org/10.1007/s12598-020-01401-9

Weitere Artikel der Ausgabe 4/2020

Rare Metals 4/2020 Zur Ausgabe

    Marktübersichten

    Die im Laufe eines Jahres in der „adhäsion“ veröffentlichten Marktübersichten helfen Anwendern verschiedenster Branchen, sich einen gezielten Überblick über Lieferantenangebote zu verschaffen.