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Journal of Computational Electronics
Erschienen in: Journal of Computational Electronics 4/2013

01.12.2013

3D Monte Carlo simulation of FinFET and FDSOI devices with accurate quantum correction

verfasst von: F. M. Bufler, L. Smith

Erschienen in: Journal of Computational Electronics | Ausgabe 4/2013

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Abstract

The performance of FinFET and FDSOI devices is compared by 3D Monte Carlo simulation using an enhanced quantum correction scheme. This scheme has two new features: (i) the quantum correction is extracted from a 2D cross-section of the 3D device and (ii) in addition to using a modified oxide permittivity and a modified work function in subthreshold, the work function is ramped above threshold to a different value in the on-state. This approach improves the accuracy of the quantum-correction for multi-gate devices and is shown to accurately reproduce 3D density-gradient simulation also at short channel lengths. 15 nm FDSOI device performance with thin box and back-gate bias is found to be competitive: compared to a FinFET with (110)/〈110〉 sidewall/channel orientation, the on-current for N-type devices is 25 % higher and the off-current is only increased by a factor of 2.5.
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Metadaten
Titel
3D Monte Carlo simulation of FinFET and FDSOI devices with accurate quantum correction
verfasst von
F. M. Bufler
L. Smith
Publikationsdatum
01.12.2013
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Computational Electronics / Ausgabe 4/2013
Print ISSN: 1569-8025
Elektronische ISSN: 1572-8137
DOI
https://doi.org/10.1007/s10825-013-0518-z

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