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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 1/2013

01.01.2013

Au-modified silicon nanowires for surface-enhanced fluorescence of Ln3+ (Ln = Pr, Nd, Ho, and Er)

verfasst von: Shujuan Zhuo, Mingwang Shao, Hongyan Xu, Tao Chen, Dorthy Duo Duo Ma, Shuit-Tong Lee

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 1/2013

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Abstract

The interaction of the surface plasmons of gold nanoparticles on silicon nanowires with fluorophores, lanthanide ions (praseodymium ions, Pr3+, neodymium ions Nd3+, holmium ions Ho3+, and erbium ions Er3+) was investigated. In the presence of Au/Si nanomaterials, the fluorescence peaks were significantly enhanced, which resulted in about 2 orders of magnitude enhancement. The photoluminescence studies revealed that the enhanced fluorescence originates from the local field enhancement around Ln3+ ions, caused by the electronic plasmons resonance of the gold nanoparticles. Results showed that this Au/Si nanostructure had larger enhancement factor than that caused by unsupported Au nanoparticles. These results might be explained by the local field overlap originated from the closed and fixed gold nanoparticles on silicon nanowires.
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Literatur
1.
N.J. Li, Q.F. Xu, X.W. Xia, L.H. Wang, J.M. Lu, X.W. Wen, Mater. Chem. Phys. 114, 339 (2009)CrossRef
2.
S. Ramanathan, S. Patibandla, S. Bandyopadhyay, J.D. Edwards, J. Anderson, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 17, 651 (2006)CrossRef
3.
4.
C.J. Murphy, T.K. Sau, A.M. Gole, C.J. Orendorff, J.X. Gao, L.F. Gou, S.E. Hunyadi, T. Li, J. Phys. Chem. B 109, 13857 (2005)CrossRef
5.
6.
M.T. Zin, K. Leong, N.-Y. Wong, H. Ma, M. Sarikaya, A.K.-Y. Jen, Nanotechnology 20, 015305 (2009)CrossRef
7.
M.M.L.M. Vareiro, I. Tranchant, S. Maplin, K. Zak, M.M. Gani, C.J. Slevin, H.C. Hailes, A.B. Tabor, P.J. Cameron, A.T.A. Jenkins, D.E. Williams, Anal. Biochem. 377, 243 (2008)CrossRef
8.
9.
10.
M.K. Hossain, G.G. Huang, T. Kaneko, Y. Ozaki, Phys. Chem. Chem. Phys. 11, 7484 (2009)CrossRef
11.
12.
13.
14.
E.J. Bjerneld, Z. Folldes-Papp, M. Kall, R. Rigler, J. Phys. Chem. B 106, 1213 (2002)CrossRef
15.
T.S. Lim, C.C. Fu, K.C. Lee, H.Y. Lee, K. Chen, W.F. Cheng, W.W. Pai, H.C. Chang, W. Fann, Phys. Chem. Chem. Phys. 11, 1508 (2009)CrossRef
16.
Y.X. Zhang, K. Aslan, M.J.R. Previte, Appl. Phys. Lett. 90, 053107 (2007)CrossRef
17.
A.I. Dragan, E.S. Bishop, J.R. Casas-Finet, R.J. Strouse, M.A. Schenerman, C.D. Geddes, Anal. Biochem. 396, 8 (2010)CrossRef
18.
19.
Y.X. Zhang, K. Aslan, M.J.R. Previte, Appl. Phys. Lett. 90, 173116 (2007)CrossRef
20.
21.
K. Aslan, Z. Leonenko, J.R. Lakowicz, C.D. Geddes, J. Phys. Chem. B 109, 3157 (2005)CrossRef
22.
G. Hungerford, J. Benesch, J.F. Mano, R.L. Reis, Photochem. Photobiol. Sci. 6, 152 (2007)CrossRef
23.
M. Martini, P. Perriat, M. Montagna, R. Pansu, C. Julien, O. Tillement, S. Roux, J. Phys. Chem. C 113, 17669 (2009)CrossRef
24.
S.T. Selvan, T. Hayakawa, M. Nogami, J. Phys. Chem. B 103, 7064 (1999)CrossRef
25.
Y. Zhou, Y.L. Lam, S.S. Wang, H.L. Liu, C.H. Kam, Y.C. Chan, Appl. Phys. Lett. 71, 587 (1997)CrossRef
26.
27.
28.
29.
S.J. Zhuo, M.W. Shao, L. Cheng, R.H. Que, D.D.D. Ma, S.T. Lee, Appl. Phys. Lett. 96, 103108 (2010)CrossRef
30.
S.J. Zhuo, M.W. Shao, L. Cheng, R.H. Que, D.D.D. Ma, S.T. Lee, J. Appl. Phys. 108, 034305 (2010)CrossRef
31.
B. Ahrens, C. Eisenschmidt, J.A. Johnson, P.T. Miclea, S. Schweizer, Appl. Phys. Lett. 92, 061905 (2008)CrossRef
32.
G.A. Kumar, R.E. Riman, L.A.D. Torres, S. Banerjee, M.D. Romanelli, T.J. Emge, J.G. Brennan, Chem. Mater. 19, 2937 (2007)CrossRef
33.
34.
J. Zhang, J. Malicka, I. Gryczynski, J.R. Lakowicz, J. Phys. Chem. B 109, 7643 (2005)CrossRef
35.
M.W. Shao, Y.Y. Shan, N.B. Wong, S.T. Lee, Adv. Funct. Mater. 15, 1478 (2005)CrossRef
36.
37.
G. Frens, Nat. Phys. Sci. 241, 20 (1973)
38.
M.W. Shao, L. Cheng, X.H. Zhang, D.D.D. Ma, S.T. Lee, J. Am. Chem. Soc. 131, 17738 (2009)CrossRef
39.
C.H.A. Tsang, Y. Liu, Z.H. Kang, D.D.D. Ma, N.B. Wong, S.T. Lee, Chem. Commun. 39, 5829 (2009)CrossRef
40.
L. Gunnarsson, E.J. Bjerneld, H. Xu, S. Petronis, B. Kasemo, M. Käll, Appl. Phys. Lett. 78, 802 (2001)CrossRef
41.
42.
43.
44.
45.
46.
47.
G. Sun, J.B. Khurgin, R.A. Soref, Appl. Phys. Lett. 90, 111107 (2007)CrossRef
48.
G. Sun, J.B. Khurgin, R.A. Soref, Appl. Phys. Lett. 94, 101103 (2009)CrossRef
49.
50.
51.
Metadaten
Titel
Au-modified silicon nanowires for surface-enhanced fluorescence of Ln3+ (Ln = Pr, Nd, Ho, and Er)
verfasst von
Shujuan Zhuo
Mingwang Shao
Hongyan Xu
Tao Chen
Dorthy Duo Duo Ma
Shuit-Tong Lee
Publikationsdatum
01.01.2013
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 1/2013
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-012-0746-1

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