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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 1/2013

01.01.2013

The sensitivity of the steady-state and transient electron transport within bulk wurtzite zinc oxide to variations in the crystal temperature, the doping concentration, and the non-parabolicity coefficient

verfasst von: Walid A. Hadi, Michael S. Shur, Stephen K. O’Leary

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 1/2013

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Abstract

Using a semi-classical three-valley Monte Carlo simulation approach, we analyze the steady-state and transient electron transport within bulk wurtzite zinc oxide, and its response to variations in the crystal temperature, the doping concentration, and the non-parabolicity coefficient. We find that while the electron transport associated with zinc oxide is highly sensitive to the crystal temperature and to the non-parabolicity coefficient, it is not very sensitive to the doping concentration. These results suggest that zinc oxide is a competitive material for many of the electron device applications envisioned for its gallium nitride counterpart.
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Fußnoten
1
In the Kane model, the energy band is assumed to be non-parabolic, spherical, and of the form
$$ \frac{\hbar^{2} k^{2}}{2\hbox{m}^{*}} = E \left( 1 + \alpha E \right), $$
where \(\hbar{k}\) denotes the crystal momentum, E represents the energy, \(\hbox{m}^{*}\) is the effective mass of the electrons within this valley, and α is the non-parabolicity coefficient [24].
 
2
see Footnote 1.
 
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Metadaten
Titel
The sensitivity of the steady-state and transient electron transport within bulk wurtzite zinc oxide to variations in the crystal temperature, the doping concentration, and the non-parabolicity coefficient
verfasst von
Walid A. Hadi
Michael S. Shur
Stephen K. O’Leary
Publikationsdatum
01.01.2013
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 1/2013
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-012-0782-x

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