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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 5/2019

01.02.2019

Crystal structure correlation of ferroelectric and dielectric properties of Nb doped PZT95/5

verfasst von: Manoj Kumar, Rajwant Rai, Naveen Kumar, Gyaneshwar Sharma, Arun Kumar Singh, Sanjeev Kumar

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 5/2019

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Abstract

Pb(Zr0.95Ti0.05)1−xNbxO3 (x = 0.0, 0.02 and 0.025) polycrystalline ferroelectric (FE) ceramics were synthesized using conventional solid state method. The Rietveld refined X-ray diffraction pattern show all the compositions crystallize in the rhombohedral phase with R3c space group. The scanning electron microscopy result depicts the decrease in grain size with increase in niobium (Nb) doping. The temperature dependent dielectric permittivity shows the Nb doping increases the Curie temperature (Tc) and decreases the dielectric constant (εr) at Tc. FE analysis shows doping of Nb increases the remnant polarization (Pr) and decreases the coercive field (Ec).
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Metadaten
Titel
Crystal structure correlation of ferroelectric and dielectric properties of Nb doped PZT95/5
verfasst von
Manoj Kumar
Rajwant Rai
Naveen Kumar
Gyaneshwar Sharma
Arun Kumar Singh
Sanjeev Kumar
Publikationsdatum
01.02.2019
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 5/2019
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-019-00798-z

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