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Optical and Quantum Electronics
Erschienen in: Optical and Quantum Electronics 11/2018

01.11.2018

Dark current transport mechanism associated with acceptor concentration in GaAs-based blocked-impurity-band (BIB) detectors

verfasst von: Xiaodong Wang, Yulu Chen, Xiaoyao Chen, Bingbing Wang, Chuansheng Zhang, Haoxing Zhang, Ming Pan

Erschienen in: Optical and Quantum Electronics | Ausgabe 11/2018

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Abstract

Dark current transport mechanism associated with acceptor concentration in GaAs-based blocked-impurity-band (BIB) detectors has been investigated. Device structure, numerical models and simulation techniques are described in detail. By careful model and parameter calibration, the numerical simulation is completely consistent with the analytical calculation, proving the validity of simulation methods. Our results reveals that the carrier-transport modes of GaAs-based BIB detectors can be classified into two categories (i.e., electron current and hopping current), and the hopping current can be neglected compared with the electron current. Besides, it is demonstrated that the dark current of GaAs-based BIB detector is dominated by the drift–diffusion current and the generation-recombination current, and the both current components are monotonically decreasing functions of the acceptor concentration.
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Metadaten
Titel
Dark current transport mechanism associated with acceptor concentration in GaAs-based blocked-impurity-band (BIB) detectors
verfasst von
Xiaodong Wang
Yulu Chen
Xiaoyao Chen
Bingbing Wang
Chuansheng Zhang
Haoxing Zhang
Ming Pan
Publikationsdatum
01.11.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Optical and Quantum Electronics / Ausgabe 11/2018
Print ISSN: 0306-8919
Elektronische ISSN: 1572-817X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11082-017-1258-2

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