Skip to main content
Erschienen in: Semiconductors 6/2015

01.06.2015 | Physics of Semiconductor Devices

Effect of different loss mechanisms in SiGeSn based mid-infrared laser

verfasst von: Vedatrayee Chakraborty, Bratati Mukhopadhyay, P. K. Basu

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 6/2015

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Metadaten
Titel
Effect of different loss mechanisms in SiGeSn based mid-infrared laser
verfasst von
Vedatrayee Chakraborty
Bratati Mukhopadhyay
P. K. Basu
Publikationsdatum
01.06.2015
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 6/2015
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782615060081

Weitere Artikel der Ausgabe 6/2015

Semiconductors 6/2015 Zur Ausgabe

Proceedings of the Conference “Silicon-2014”, Irkutsk, July 7–12, 2014

Si(hhm) surfaces: Templates for developing nanostructures

Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena

Holes localized in nanostructures in an external magnetic field: g-factor and mixing of states

Proceedings of the Conference “Silicon-2014”, Irkutsk, July 7–12, 2014

Low-temperature conductivity of silicon doped with antimony

Premium Partner