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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 10/2006

01.10.2006

Raman scattering characterization of SF-PECVD-grown hydrogenated microcrystalline silicon thin films using growth surface electrical bias

verfasst von: Erik V. Johnson, Nazir P. Kherani, Stefan Zukotynski

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 10/2006

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Abstract

A series of hydrogenated microcrystalline films were grown by a novel thin film deposition method using the Saddle Field Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition system. We show that the surface potential during growth strongly affects the microcrystalline character of the films, as quantified by Raman scattering. This effect can be reproduced on both conductive and non-conductive substrates. Films grown close to the threshold for microcrystalline growth exhibit laser-induced crystallization at low laser intensities.
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Metadaten
Titel
Raman scattering characterization of SF-PECVD-grown hydrogenated microcrystalline silicon thin films using growth surface electrical bias
verfasst von
Erik V. Johnson
Nazir P. Kherani
Stefan Zukotynski
Publikationsdatum
01.10.2006
Verlag
Kluwer Academic Publishers
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 10/2006
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-006-0026-z

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