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Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 9/2010

01.09.2010

Investigation of rare earth-doped BiAg high-temperature solders

verfasst von: Yaowu Shi, Weiping Fang, Zhidong Xia, Yongping Lei, Fu Guo, Xiaoyan Li

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 9/2010

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Abstract

In the present work, the microstructure and properties of the rare earth Ce-doped BiAg solders with various Ag content are investigated. The results indicate that the maximum of the shear strength appears in the BiAg solder joints containing 5 and 7.5 wt.% Ag. At the same time, a similar trend appears in the hardness test of the BiAg bulk solders. Moreover, the results show that the microstructure and properties of the solders can be modified due to the unique properties of rare earth element. Small amounts of rare earth addition may enhance the wettability of SiAg solder on Cu substrate, and result in the increase of the shear strength of the solder joints. However, the rare earth addition may not give obvious influence on the melting temperature and the electrical conductivity. Thus, it is expected that the BiAg solder containing small amounts of rare earth element may possess a better potential as a replacement for high-Pb solders.

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Metadaten
Titel
Investigation of rare earth-doped BiAg high-temperature solders
verfasst von
Yaowu Shi
Weiping Fang
Zhidong Xia
Yongping Lei
Fu Guo
Xiaoyan Li
Publikationsdatum
01.09.2010
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 9/2010
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-009-0010-5

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