Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Bücher
Zeitschriften
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
ATZ-Fachkongress

Chassis.tech plus 2024


4 Kongresse in einer Veranstaltung

Treffen Sie in München die Fachleute von Chassis, Lenkung, Bremsen sowie Reifen/Räder.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 2/2020

01.02.2020 | PHYSICS OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Long-Wavelength LEDs in the Atmospheric Transparency Window of 4.6–5.3 μm

verfasst von: V. V. Romanov, E. V. Ivanov, A. A. Pivovarova, K. D. Moiseev, Yu. P. Yakovlev

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 2/2020

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Abstract

The design and technology for the fabrication of an asymmetric stepped InAs/InAs1 –ySby/InAsSbP heterostructure with an ultimate InSb content (up to y = 0.17) in the narrow-gap active region by vapor-phase epitaxy from metal-organic compounds are developed. The electroluminescence characteristics of long-wavelength LEDs based on the proposed heterostructure, which emits in the spectral range of 4.6–5.3 μm, are studied. A linear decrease in the quantum efficiency of the electroluminescence with increasing InSb content in the active layer of the LEDs obtained is revealed. The advantage of using the asymmetric heterostructure for fabricating LEDs with a working wavelength of more than 4.5 μm is shown.
Vorheriger Artikel Effect of Temperature on the Characteristics of 4H-SiC UV Photodetectors
Nächster Artikel Edge-Termination Technique for High-Voltage Mesa-Structure 4H-SiC Devices: Negative Beveling

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Literatur
1.
V. E. Zuev, Propagation of Visible and Infrared Waves in the Atmosphere (Sov. Radio, Moscow, 1970), p. 325 [in Russian].
2.
G. G. Ishanin, E. D. Pankov, A. L. Andreev, and G. V. Pol’shchikov, Sources and Detectors of Radiation (Politekhnika, St. Petersburg, 1991), p. 240 [in Russian].
3.
R. H. Pierson, A. N. Fletcher, and E. St. C. Gantz, Anal. Chem. 28, 1218 (1956).CrossRef
4.
B. N. Tarasevich, IR Spectra of the Main Classes of Organic Compounds, The Handbook (Mosk. Gos. Univ., Moscow, 2012), p. 55 [in Russian].
5.
V. V. Romanov, E. V. Ivanov, and K. D. Moiseev, Phys. Solid State 61, 1699 (2019).ADSCrossRef
6.
7.
N. V. Zotova, S. S. Kizhaev, S. S. Molchanov, T. I. Voronina, T. S. Lagunova, B. V. Pushnyi, and Yu. P. Yakovlev, Semiconductors 37, 955 (2003).ADSCrossRef
8.
V. V. Romanov, I. A. Belykh, E. V. Ivanov, P. A. Alekseev, N. D. Il’inskaya, and Yu. P. Yakovlev, Semiconductors 53, 822 (2019).ADSCrossRef
9.
10.
11.
N. V. Zotova, S. A. Karandashev, B. A. Matveev, M. A. Remenny, N. M. Stus’, and N. G. Tarakanova, Semiconductors 39, 214 (2005).ADSCrossRef
Metadaten
Titel
Long-Wavelength LEDs in the Atmospheric Transparency Window of 4.6–5.3 μm
verfasst von
V. V. Romanov
E. V. Ivanov
A. A. Pivovarova
K. D. Moiseev
Yu. P. Yakovlev
Publikationsdatum
01.02.2020
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 2/2020
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782620020189

Weitere Artikel der Ausgabe 2/2020

Semiconductors 2/2020 Zur Ausgabe

SEMICONDUCTOR STRUCTURES, LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS, AND QUANTUM PHENOMENA

Molecular States of Composite Fermions in Self-Organized InP/GaInP Quantum Dots in Zero Magnetic Field

ELECTRONIC PROPERTIES OF SEMICONDUCTORS

Fabrication and Analysis of the Current Transport Mechanism of Ni/n-GaN Schottky Barrier Diodes through Different Models

SURFACES, INTERFACES, AND THIN FILMS

Profiling Mobility Components near the Heterointerfaces of Thin Silicon Films

NONELECTRONIC PROPERTIES OF SEMICONDUCTORS (ATOMIC STRUCTURE, DIFFUSION)

Thermal Conductivity of Cu2ZnGe1 –xSnxSe4 Alloys

CARBON SYSTEMS

Exactly Solvable Model Problem on a Graphene Nanoribbon with Zigzag Edges

PHYSICS OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Effect of Temperature on the Characteristics of 4H-SiC UV Photodetectors

Premium Partner

    Bildnachweise