Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Bücher
Zeitschriften
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
MTZ-Fachkongress

Antriebe und Energiesysteme von morgen


Austausch von Automobil- und Energiewirtschaft

Am 14./15. Mai geht es in Chemnitz um die Mobilitätswende durch Elektro- und Wasserstofffahrzeuge.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 8/2013

01.08.2013 | Physics of Semiconductor Devices

High-speed photodiodes for the mid-infrared spectral region 1.2–2.4 μm based on GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb heterostructures with a transmission band of 2–5 GHz

verfasst von: I. A. Andreev, O. Yu. Serebrennikova, G. S. Sokolovskii, V. V. Dudelev, N. D. Ilynskaya, G. G. Konovalov, E. V. Kunitsyna, Yu. P. Yakovlev

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 8/2013

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …
Vorheriger Artikel Optimization of the design and mode of operation of a QD laser for reducing the heat-to-bitrate ratio
Nächster Artikel Features of defect formation during the growth of double heterostructures for injection lasers based on Al x Ga1 − x As y Sb1 − y /GaSb materials

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Metadaten
Titel
High-speed photodiodes for the mid-infrared spectral region 1.2–2.4 μm based on GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb heterostructures with a transmission band of 2–5 GHz
verfasst von
I. A. Andreev
O. Yu. Serebrennikova
G. S. Sokolovskii
V. V. Dudelev
N. D. Ilynskaya
G. G. Konovalov
E. V. Kunitsyna
Yu. P. Yakovlev
Publikationsdatum
01.08.2013
Verlag
Springer US
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 8/2013
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782613080046

Weitere Artikel der Ausgabe 8/2013

Semiconductors 8/2013 Zur Ausgabe

Carbon Systems

Copolymers of carbazole- and indolocarbazole-containing phenylquinolines as new materials for electroluminescent devices

Spectroscopy, Interaction with Radiation

Optical properties of oxygen-implanted CdS:O layers in terms of band anticrossing theory

Physics of Semiconductor Devices

Transient processes in high-voltage silicon carbide bipolar-junction transistors

Physics of Semiconductor Devices

Electrical phenomena in a metal/nanooxide/p +-silicon structure during its transformation to a resonant-tunneling diode

Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena

Features of the stress-strain state of Si/SiO2/Ge heterostructures with germanium nanoislands of a limited density

Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena

Optical reflection from the Bragg lattice of AsSb metal nanoinclusions in an AlGaAs matrix

Premium Partner

    Bildnachweise