Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Bücher
Zeitschriften
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
MTZ-Fachkongress

Antriebe und Energiesysteme von morgen


Austausch von Automobil- und Energiewirtschaft

Am 14./15. Mai geht es in Chemnitz um die Mobilitätswende durch Elektro- und Wasserstofffahrzeuge.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 11/2018

01.11.2018 | XXII INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOPHYSICS AND NANOELECTRONICS”, NIZHNY NOVGOROD, MARCH 12–15, 2018

Application of the Locally Nonequilibrium Diffusion-Drift Cattaneo–Vernotte Model to the Calculation of Photocurrent Relaxation in Diode Structures under Subpicosecond Pulses of Ionizing Radiation

verfasst von: A. S. Puzanov, S. V. Obolenskiy, V. A. Kozlov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 11/2018

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Abstract

The excitation-relaxation process in electron–hole plasma upon exposure to ionizing radiation for a time shorter than the relaxation time of the mobile carrier energy and momentum is considered. By the example of the calculation of transient ionization processes in a silicon hyperhigh-frequency Schottky diode, local-equilibrium and local-nonequilibrium carrier transport models are compared. It is shown that the local-nonequilibrium model features a wider field of application for describing fast relaxation processes.
Vorheriger Artikel “Extremum Loop” Model for the Valence-Band Spectrum of a HgTe/HgCdTe Quantum Well with an Inverted Band Structure in the Semimetallic Phase
Nächster Artikel Investigation of the Anisotropy of the Structural Properties of GaN(0001) Layers Grown by MOVPE on a-Plane (110) Sapphire

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Literatur
1.
R. Jones, A. M. Chugg, C. M. S. Jones, P. H. Duncan, C. S. Dyer, and C. Sanderson, IEEE Trans. Nucl. Sci. 47, 539 (2000).ADSCrossRef
2.
A. I. Chumakov, A. N. Egorov, O. B. Mavritskii, and A. V. Yanenko, Russ. Microelectron. 33, 106 (2004).CrossRef
3.
4.
P. Vernotte, C.R. Acad. Sci. Paris 246, 3154 (1958).
5.
C. Cattaneo, C.R. Acad. Sci. Paris 247, 431 (1958).
6.
D. Jou, J. Casas-Vazquez, and G. Lebon, Extended Irreversible Thermodynamics (Spinger, Berlin, Heidelberg, 2010).
7.
8.
9.
10.
K. V. Zhukovskii, Uch. Zap. Fiz. Fak. MGU, No. 6, 1740301 (2017).
11.
M. Yu. Belevich, Uch. Zap. Ross. Gos. Gidrometeorol. Univ. 10, 101 (2009).
12.
13.
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981).
14.
15.
16.
A. V. Lykov, Theory of Heat Conductivity (Vyssh. Shkola, Moscow, 1967) [in Russian].
17.
M. Lundstrom, Fundamentals of Carrier Transport (Cambridge Univ. Press, Cambridge, 2000).CrossRef
18.
F. Ekoue, A. Fouache d’Halloy, D. Gigon, G. Plantamp, and E. Zajdman, Int. J. Phys. Math. Sci. 7, 772 (2013).
19.
V. K. Kiselev, S. V. Obolenskii, A. S. Puzanov, and A. V. Skupov, Zh. Radiotekh. 17 (2), 10 (2014).
20.
21.
Metadaten
Titel
Application of the Locally Nonequilibrium Diffusion-Drift Cattaneo–Vernotte Model to the Calculation of Photocurrent Relaxation in Diode Structures under Subpicosecond Pulses of Ionizing Radiation
verfasst von
A. S. Puzanov
S. V. Obolenskiy
V. A. Kozlov
Publikationsdatum
01.11.2018
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 11/2018
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782618110209

Weitere Artikel der Ausgabe 11/2018

Semiconductors 11/2018 Zur Ausgabe

XXII INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOPHYSICS AND NANOELECTRONICS”, NIZHNY NOVGOROD, MARCH 12–15, 2018

Stimulated Emission in the 1.3–1.5 μm Spectral Range from AlGaInAs Quantum Wells in Hybrid Light-Emitting III–V Heterostructures on Silicon Substrates

XXII INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOPHYSICS AND NANOELECTRONICS”, NIZHNY NOVGOROD, MARCH 12–15, 2018

Spectroscopy of Single AlInAs and (111)-Oriented InGaAs Quantum Dots

XXII INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOPHYSICS AND NANOELECTRONICS”, NIZHNY NOVGOROD, MARCH 12–15, 2018

Study of the Structural and Morphological Properties of HPHT Diamond Substrates

XXII INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOPHYSICS AND NANOELECTRONICS”, NIZHNY NOVGOROD, MARCH 12–15, 2018

Phosphorus-Based Nanowires Grown by Molecular-Beam Epitaxy on Silicon

XXII INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOPHYSICS AND NANOELECTRONICS”, NIZHNY NOVGOROD, MARCH 12–15, 2018

“Extremum Loop” Model for the Valence-Band Spectrum of a HgTe/HgCdTe Quantum Well with an Inverted Band Structure in the Semimetallic Phase

XXII INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOPHYSICS AND NANOELECTRONICS”, NIZHNY NOVGOROD, MARCH 12–15, 2018

MBE Growth and Structural Properties of GaP and InP Nanowires on a SiC Substrate with a Graphene Layer

Premium Partner

    Bildnachweise