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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 9/2018

01.09.2018 | PHYSICS OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Lowering the Lasing Threshold by Doping in Mid-Infrared Lasers Based on HgCdTe with HgTe Quantum Wells

verfasst von: A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, S. V. Morozov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 9/2018

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Abstract

The possibility of significant lowering of the interband lasing threshold in laser structures of the mid-infrared region based on HgCdTe with HgTe quantum wells by doping with donors, which introduce δ layers near quantum wells, is proposed and analyzed. It is shown that at an optimum surface donor concentration in the δ layer of 4 × 1010 cm–2 and an operating temperature of >40 K, the lasing threshold at a wavelength of 20 μm can be lowered more than twofold.
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Metadaten
Titel
Lowering the Lasing Threshold by Doping in Mid-Infrared Lasers Based on HgCdTe with HgTe Quantum Wells
verfasst von
A. A. Dubinov
V. Ya. Aleshkin
S. V. Morozov
Publikationsdatum
01.09.2018
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 9/2018
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782618090038

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