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Erschienen in:

01.10.2019 | XXIII INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOPHYSICS AND NANOELECTRONICS”, NIZHNY NOVGOROD, MARCH 11–14, 2019

Ordered Arrays of Ge(Si) Quantum Dots Incorporated into Two-Dimensional Photonic Crystals

verfasst von: Zn. V. Smagina, V. A. Zinovyev, E. E. Rodyakina, B. I. Fomin, M. V. Stepikhova, A. N. Yablonskiy, S. A. Gusev, A. V. Novikov, A. V. Dvurechenskii

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 10/2019

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Two different approaches to the integration of self-assembled Ge(Si) quantum dots into two-dimensional photonic crystals are considered. One approach includes the synthesis of an ordered array of Ge(Si) quantum dots on the textured surface of a substrate followed by the formation of a photonic crystal on this array. In the other approach, the photonic crystal itself serves as a template for the ordered growth of quantum dots. It is shown that, by varying the diameter of holes of photonic crystals in the second approach, it is possible to implement the growth of quantum dots in two modes, in which quantum dots are formed inside or outside the holes of the photonic crystal. For structures with ordered quantum dots incorporated into a photonic crystal, an increase in the photoluminescence signal intensity is detected at room temperature in the spectral range 0.9–1.2 eV. This increase is attributed to the interaction of emission from the structure with radiation modes of the photonic crystal.

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Titel: Ordered Arrays of Ge(Si) Quantum Dots Incorporated into Two-Dimensional Photonic Crystals
verfasst von: Zn. V. Smagina
V. A. Zinovyev
E. E. Rodyakina
B. I. Fomin
M. V. Stepikhova
A. N. Yablonskiy
S. A. Gusev
A. V. Novikov
A. V. Dvurechenskii
Publikationsdatum: 01.10.2019
Verlag: Pleiades Publishing
Erschienen in: Semiconductors / Ausgabe 10/2019
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619100191

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