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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 12/2016

01.12.2016 | XX International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 14–18, 2016

PbSnTe:In compound: Electron capture levels, galvanomagnetic properties, and THz sensitivity

verfasst von: D. V. Ishchenko, A. E. Klimov, V. N. Shumsky, V. S. Epov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 12/2016

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Metadaten
Titel
PbSnTe:In compound: Electron capture levels, galvanomagnetic properties, and THz sensitivity
verfasst von
D. V. Ishchenko
A. E. Klimov
V. N. Shumsky
V. S. Epov
Publikationsdatum
01.12.2016
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 12/2016
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782616120083

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