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21.11.2016 | Ausgabe 5/2017

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 5/2017

Studying electrical characteristics of Al2O3/PVP nano-hybrid composites as OFET gate dielectric

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 5/2017
Autoren:
B. Soltani, M. Babaeipour, A. Bahari

Abstract

Al2O3/PVP nano-hybrid composite samples are synthesized using Sol–Gel method at 80 °C. Weight percent of poly 4-vinyl phenol (PVP) and aluminum oxide is 0.0, 0.28, 0.56, and 0.84. To study the nano-structural and electrical characteristics, X-ray diffraction, Fourier transfer infrared radiation, scanning electron microscopy, and atomic force microscopy are used. Dielectric constant of the samples is calculated using GPS 132A technique. The results show that the highest amounts of dielectric constant at the frequency of 120 and 1 kHz are related to Al2O3/0.28 wt% PVP (AP 0.28 wt%). PVP (k = 35) and Al2O3/0.56 wt% PVP (AP 0.56 wt%). PVP (k = 26) nano-composite samples, respectively. Therefore, at the frequency of 120 kHz, AP 0.28 wt% PVP nano-composite sample, due to having higher equivalent oxide thickness, less roughness, ohmic properties, smaller size of nano-crystallites (Scherrer diameter of 45 nm), higher dielectric constant, and as a result less leakage current, is recommended as the gate dielectric for the future of organic field effect transistors (OFET).

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