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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 10/2010

01.10.2010

ZrO2 thin films on Si substrate

verfasst von: Yew Hoong Wong, Kuan Yew Cheong

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 10/2010

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Abstract

In the advancement of metal–oxide–semiconductor technology, Si-based semiconductor, with SiO2 as outstanding dielectric, has been dominating microelectronic industry for decades. However, the drastic down-scaling in ultra-large-scale integrated circuitry has made ultrathin SiO2 (~1.2 nm) unacceptable for many practical reasons. Introduction of ZrO2 as high-κ dielectrics replacing SiO2 is undeniably a potential yet formidable solution for the aforementioned problem. The objective of this review is to present the current knowledge of ZrO2 thin film as gate dielectric on Si, in terms of its material and electrical properties produced by various deposition techniques. One of the techniques being focused is thermal oxidation of sputtered Zr and the mechanisms of transforming the metal into oxide has been extensively reviewed.
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Metadaten
Titel
ZrO2 thin films on Si substrate
verfasst von
Yew Hoong Wong
Kuan Yew Cheong
Publikationsdatum
01.10.2010
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 10/2010
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-010-0144-5

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