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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 10/2019

01.10.2019 | XXIII INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOPHYSICS AND NANOELECTRONICS”, NIZHNY NOVGOROD, MARCH 11–14, 2019

Comparison of the Radiation Resistance of Prospective Bipolar and Heterobipolar Transistors

verfasst von: T. A. Shobolova, A. V. Korotkov, E. V. Petryakova, A. V. Lipatnikov, A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 10/2019

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Abstract

Approaches to solving the problem of the development of efficient bipolar and heterobipolar transistors operating at radio- and ultrahigh frequencies (0.1–10 GHz), which could be used as active elements of modern Si-based and GaAs-based radiation-resistant analog-digital integrated circuits, are discussed. Comparison of the radiation resistance of prospective “lateral” Si-based bipolar and “vertical” AlGaAs/GaAs heterobipolar transistors with a characteristic base thickness of 70–350 nm is performed. The features of the electron transport in active transistor regions are analyzed in detail and the influence of a surge in the velocity and the diffusion of quasi-ballistic electrons on an increase in the radiation resistance of transistors is evaluated.
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Metadaten
Titel
Comparison of the Radiation Resistance of Prospective Bipolar and Heterobipolar Transistors
verfasst von
T. A. Shobolova
A. V. Korotkov
E. V. Petryakova
A. V. Lipatnikov
A. S. Puzanov
S. V. Obolensky
V. A. Kozlov
Publikationsdatum
01.10.2019
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 10/2019
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782619100178

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