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01.10.2019 | XXIII INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOPHYSICS AND NANOELECTRONICS”, NIZHNY NOVGOROD, MARCH 11–14, 2019 | Ausgabe 10/2019

Semiconductors 10/2019

Comparison of the Radiation Resistance of Prospective Bipolar and Heterobipolar Transistors

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 10/2019
Autoren:
T. A. Shobolova, A. V. Korotkov, E. V. Petryakova, A. V. Lipatnikov, A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov
Wichtige Hinweise
Translated by N. Korovin

Abstract

Approaches to solving the problem of the development of efficient bipolar and heterobipolar transistors operating at radio- and ultrahigh frequencies (0.1–10 GHz), which could be used as active elements of modern Si-based and GaAs-based radiation-resistant analog-digital integrated circuits, are discussed. Comparison of the radiation resistance of prospective “lateral” Si-based bipolar and “vertical” AlGaAs/GaAs heterobipolar transistors with a characteristic base thickness of 70–350 nm is performed. The features of the electron transport in active transistor regions are analyzed in detail and the influence of a surge in the velocity and the diffusion of quasi-ballistic electrons on an increase in the radiation resistance of transistors is evaluated.

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