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Microsystem Technologies
Erschienen in: Microsystem Technologies 5/2013

01.05.2013 | Technical Paper

Direct bonding of titanium layers on silicon

verfasst von: F. Baudin, L. Di Cioccio, V. Delaye, N. Chevalier, J. Dechamp, H. Moriceau, E. Martinez, Y. Bréchet

Erschienen in: Microsystem Technologies | Ausgabe 5/2013

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Abstract

Direct metal bonding is a key technology for 3D integration that will allow semiconductor industry to go beyond predicted problems of future ICs. In this paper, for the first time, we show room temperature direct bonding of titanium layers on silicon wafers at atmospheric pressure and ambient air. Transmission electron microscopy and spreading scanning resistance microscopy are used to investigate bonding interface. Several physical mechanisms of titanium–titanium interface sealing during subsequent thermal annealing are observed and compared to copper and tungsten in terms of bonding mechanism and temperature dependence.
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Metadaten
Titel
Direct bonding of titanium layers on silicon
verfasst von
F. Baudin
L. Di Cioccio
V. Delaye
N. Chevalier
J. Dechamp
H. Moriceau
E. Martinez
Y. Bréchet
Publikationsdatum
01.05.2013
Verlag
Springer-Verlag
Erschienen in
Microsystem Technologies / Ausgabe 5/2013
Print ISSN: 0946-7076
Elektronische ISSN: 1432-1858
DOI
https://doi.org/10.1007/s00542-012-1664-0

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