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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 9/2018

01.09.2018 | MICROCRYSTALLINE, NANOCRYSTALLINE, POROUS, AND COMPOSITE SEMICONDUCTORS

Effect of Injection Depletion in p-Si–n-(Si2)1 –x(ZnSe)x (0 ≤ x ≤ 0.01) Heterostructure

verfasst von: A. S. Saidov, A. Yu. Leyderman, Sh. N. Usmonov, K. A. Amonov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 9/2018

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Abstract

The current–voltage characteristics of p-Si–n-(Si2)1 –x(ZnSe)x (0 ≤ x ≤ 0.01) heterostructures are studied at various temperatures. It is found that the current–voltage characteristics of such structures contain a portion of a sublinear increase in the current with voltage such as V = V0 exp(Jad). The concentrations of deep impurities responsible for the appearance of the sublinear portion in the current–voltage characteristic are estimated. The experimental results are explained based on the theory of the injection depletion effect.
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Metadaten
Titel
Effect of Injection Depletion in p-Si–n-(Si2)1 –x(ZnSe)x (0 ≤ x ≤ 0.01) Heterostructure
verfasst von
A. S. Saidov
A. Yu. Leyderman
Sh. N. Usmonov
K. A. Amonov
Publikationsdatum
01.09.2018
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 9/2018
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782618090142

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