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Erschienen in: Journal of Electronic Testing 6/2016

11.11.2016

Four-Port Network Parameters Extraction Method for Partially Depleted SOI with Body-Contact Structure

verfasst von: Jun Liu, Yu Ping Huang, Kai Lu

Erschienen in: Journal of Electronic Testing | Ausgabe 6/2016

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Abstract

This work presents a model parameter extraction method based on four-port network for RF SOI MOSFET modeling. The gate, drain, source and body terminals are served as four separate ports. Four-port measurement simplifies the determination of small-signal equivalent circuit model elements such as parameters related to the body terminal which become clear in the equivalent circuit analysis. The extraction method of the RF SOI MOSFET extrinsic parasitic elements was also presented. The accuracy of the model extraction was verified by measurement and simulation from 100 MHz to 20 GHz.

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Metadaten
Titel
Four-Port Network Parameters Extraction Method for Partially Depleted SOI with Body-Contact Structure
verfasst von
Jun Liu
Yu Ping Huang
Kai Lu
Publikationsdatum
11.11.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Testing / Ausgabe 6/2016
Print ISSN: 0923-8174
Elektronische ISSN: 1573-0727
DOI
https://doi.org/10.1007/s10836-016-5625-x

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