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Journal of Computational Electronics
Erschienen in: Journal of Computational Electronics 1/2015

01.03.2015

Simulation of electronic noise in disordered organic semiconductor devices based on the master equation

verfasst von: Christoph Jungemann

Erschienen in: Journal of Computational Electronics | Ausgabe 1/2015

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Abstract

Hopping transport in disordered organic semiconductors can be described by a master equation, where the hopping process is a Poisson process, which leads to a white local noise source. With a modified Ramo-Shockley theorem the terminal current noise can be calculated by the Langevin approach. A 1D structure of a homogeneous disordered organic semiconductor is investigated. Due to the slow processes in organic semiconductors, the noise shows a strong frequency dependence at rather low frequencies without considering 1/f noise or traps. If the current is determined by the injection barrier at the contact, the low frequency noise is shot noise at sufficiently large currents.
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Metadaten
Titel
Simulation of electronic noise in disordered organic semiconductor devices based on the master equation
verfasst von
Christoph Jungemann
Publikationsdatum
01.03.2015
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Computational Electronics / Ausgabe 1/2015
Print ISSN: 1569-8025
Elektronische ISSN: 1572-8137
DOI
https://doi.org/10.1007/s10825-014-0619-3

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