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Erschienen in: Microsystem Technologies 3/2013

01.03.2013 | Technical Paper

BPN a new thick negative photoresist with high aspect ratio for MEMS applications

verfasst von: D. Bourrier, M. Dilhan, A. Ghannam, L. Ourak, H. Granier

Erschienen in: Microsystem Technologies | Ausgabe 3/2013

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Abstract

The BPN is a negative photoresist, sensitive in the UV at 365 nm and was previously dedicated for Wafer Level Packaging (WLP) applications. This photoresist offer the advantage of forming thick layers, however, it suffers from low aspect ratio (2:1 declared by the supplier). This work reports the optimization of BPN’s technological process enabling forming 30–160 μm thick molds for electroplating purposes. Our results revealed an aspect ratio as high as 16:1 while having vertical sidewalls using conventional photolithography.

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Literatur
Zurück zum Zitat Artillan P, Brunet D, Bourrier D, Laur JP, Mauran N, Bary L, Dilhan M, Sanchez JL (2011) Integrated LC filter on silicon for DC–DC converter applications. IEEE Power Electron. doi:10.1109/TPEL.2010.2102776 Artillan P, Brunet D, Bourrier D, Laur JP, Mauran N, Bary L, Dilhan M, Sanchez JL (2011) Integrated LC filter on silicon for DC–DC converter applications. IEEE Power Electron. doi:10.​1109/​TPEL.​2010.​2102776
Zurück zum Zitat Frood AJM, Beeby SP, Tudor MJ, White NM (2005) Improved registration technique for fabricating thick film. In: Eurosensors XIX, Barcelona, 11–14 Sept 2005 Frood AJM, Beeby SP, Tudor MJ, White NM (2005) Improved registration technique for fabricating thick film. In: Eurosensors XIX, Barcelona, 11–14 Sept 2005
Metadaten
Titel
BPN a new thick negative photoresist with high aspect ratio for MEMS applications
verfasst von
D. Bourrier
M. Dilhan
A. Ghannam
L. Ourak
H. Granier
Publikationsdatum
01.03.2013
Verlag
Springer-Verlag
Erschienen in
Microsystem Technologies / Ausgabe 3/2013
Print ISSN: 0946-7076
Elektronische ISSN: 1432-1858
DOI
https://doi.org/10.1007/s00542-012-1648-0

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