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Journal of Computational Electronics
Erschienen in: Journal of Computational Electronics 1/2017

15.11.2016

Group III–V ternary compound semiconductor materials for unipolar conduction in tunnel field-effect transistors

verfasst von: Bhagwan Ram Raad, Dheeraj Sharma, Kaushal Nigam, Pravin Kondekar

Erschienen in: Journal of Computational Electronics | Ausgabe 1/2017

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Abstract

A distinct materials combination is presented for tunnel field-effect transistors (TFETs): gallium arsenide phosphide (GaAsP) as a wider-bandgap material in the drain and channel regions with indium gallium arsenide (InGaAs) as a narrow-bandgap material for the source region. The introduction of this novel materials combination greatly improves the ON-state current, OFF-state current, ambipolar behavior, threshold voltage, and subthreshold slope compared with other group III–V ternary heterojunction TFETs. In GaAsP–InGaAs TFETs, the ambipolar current remains equal to the OFF-state current. This paper explores the potential of the proposed device for ultralow-power high-performance applications.
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Metadaten
Titel
Group III–V ternary compound semiconductor materials for unipolar conduction in tunnel field-effect transistors
verfasst von
Bhagwan Ram Raad
Dheeraj Sharma
Kaushal Nigam
Pravin Kondekar
Publikationsdatum
15.11.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Computational Electronics / Ausgabe 1/2017
Print ISSN: 1569-8025
Elektronische ISSN: 1572-8137
DOI
https://doi.org/10.1007/s10825-016-0932-0

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