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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 9/2018

01.09.2018 | SEMICONDUCTOR STRUCTURES, LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS, AND QUANTUM PHENOMENA

Template Synthesis of Monodisperse Spherical Nanocomposite SiO2/GaN:Eu3+ Particles

verfasst von: E. Yu. Stovpiaga, D. A. Eurov, D. A. Kurdyukov, A. N. Smirnov, M. A. Yagovkina, D. R. Yakovlev, V. G. Golubev

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 9/2018

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Abstract

A nanocomposite in the form of monodisperse spherical mesoporous silica particles (mSiO2) filled with GaN:Eu3+ is synthesized by the template method. The method is based on the capillary impregnation of pores of mSiO2 particles with a melt of crystal hydrates of gallium and europium (0.22 wt %) nitrates, followed by thermal decomposition and ammonia treatment. It is shown that nanocomposite particles contain hexagonal GaN:Eu3+, are of spherical shape, monodisperse and do not coalesce with each other. The photoluminescence spectra of the mSiO2/GaN:Eu3+ particles show a group of lines characteristic of intracenter transitions in Eu3+.
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Metadaten
Titel
Template Synthesis of Monodisperse Spherical Nanocomposite SiO2/GaN:Eu3+ Particles
verfasst von
E. Yu. Stovpiaga
D. A. Eurov
D. A. Kurdyukov
A. N. Smirnov
M. A. Yagovkina
D. R. Yakovlev
V. G. Golubev
Publikationsdatum
01.09.2018
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 9/2018
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782618090208

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