Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Bücher
Zeitschriften
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
SLX-Digitalkonferenz: Zukunftswerkstatt 2024

Mehr Umsatz mit Top-Kontakten

Am 7. Mai erfahren Sie, wie Vertriebsteams Leadgenerierung, Leadnurturing und Leadstrategien effizient steuern können.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Microsystem Technologies
Erschienen in: Microsystem Technologies 5/2013

01.05.2013 | Technical Paper

The effect of atmospheric moisture on crack propagation in the interface between directly bonded silicon wafers

verfasst von: V. Masteika, J. Kowal, N. St. J. Braitwaite, T. Rogers

Erschienen in: Microsystem Technologies | Ausgabe 5/2013

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Abstract

Infra-red video sequences were taken of directly bonded silicon wafer pairs undergoing the razor blade crack length bond strength measurement in a specially designed jig. A series of tests were carried out under controlled atmospheres of nitrogen at various relative humidities. Analysis of the video images showed that the crack continues to propagate rapidly for several minutes after the blade has stopped moving, and that the presence of moisture has a strong positive influence on the rate of crack propagation under static loading. A new Maszara protocol is suggested based on modelling crack growth using our experimentally derived constants.
Vorheriger Artikel Characterization of bonded wafer stacks by use of the photoelastic-analysis-method
Nächster Artikel Optimization of MEMS capacitive accelerometer

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Literatur
Martini T, Steinkirchner J, Gösele U (1997) The crack opening method in silicon wafer bonding: how useful is it? J Electrochem Soc 144(1):354–357CrossRef
Maszara WP, Goetz G, Caviglia A, McKitterick JB (1988) Bonding of silicon wafers for silicon-on-insulator. J Appl Phys 64(10):4943–4950CrossRef
Takagi H, Maeda R, Suga T (2003) Wafer-scale spontaneous bonding of silicon wafers by argon-beam surface activation at room temperature. Sens Actuators A 105(1):98–102CrossRef
Tong QY, Gösele U (1996) A model of low-temperature wafer bonding and its applications. J Electrochem Soc 143(5):1773–1779CrossRef
Tong Q-Y, Cha G, Gafiteanu R, Gösele U (1994) Low temperature wafer direct bonding. J Microelectromech Syst 3(1):29–35CrossRef
Turner KT, Spearing SM (2008) Accurate characterization of wafer bond toughness with the double cantilever specimen. J Appl Phys 103(1). doi:10.​1063/​1.​2828156
Vallin O, Jonsson K, Lindberg U (2005) Adhesion quantification methods for wafer bonding. Mater Sci Eng R: Rep 50(4–5):109–165CrossRef
Wiederhorn SM, Bolz LH (1970) Stress corrosion and static fatigue of glass. J Am Ceram Soc 53(10):543–548CrossRef
Metadaten
Titel
The effect of atmospheric moisture on crack propagation in the interface between directly bonded silicon wafers
verfasst von
V. Masteika
J. Kowal
N. St. J. Braitwaite
T. Rogers
Publikationsdatum
01.05.2013
Verlag
Springer-Verlag
Erschienen in
Microsystem Technologies / Ausgabe 5/2013
Print ISSN: 0946-7076
Elektronische ISSN: 1432-1858
DOI
https://doi.org/10.1007/s00542-012-1685-8

Weitere Artikel der Ausgabe 5/2013

Microsystem Technologies 5/2013 Zur Ausgabe

Technical Paper

Hydrophobic direct bonding of silicon reconstructed surfaces

Technical Paper

Room temperature bonding for vacuum applications: climatic and long time tests

Technical Paper

Aluminum–germanium wafer bonding of (AlGaIn)N thin-film light-emitting diodes

Technical Paper

Thermoelastic dissipation in stepped-beam resonators

Technical Paper

Direct bonding of titanium layers on silicon

Technical Paper

Patterning of carbon nanotube films on PDMS using SU-8 microstructures

Neuer Inhalt

    Bildnachweise