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Microsystem Technologies
Erschienen in: Microsystem Technologies 5/2013

01.05.2013 | Technical Paper

Laser transmission bonding of silicon to silicon with metallic interlayers for wafer-level packaging

verfasst von: Anselm Wissinger, Alexander Olowinsky, Arnold Gillner, Reinhart Poprawe

Erschienen in: Microsystem Technologies | Ausgabe 5/2013

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Abstract

For packaging of silicon components with low thermal load and high spatial selectivity laser transmission bonding (LTB) of silicon–silicon compounds with intermediate layers using a cw-thulium fiber laser (wavelength 1,940 nm) is investigated. The intermediate layer combination titanium and gold is examined with respect to the bond characteristics and the achievable mechanical properties of the bonded specimens. The tensile strength is measured by using tensile test. Similar specimens bonded with corresponding standard bond process using the same bond geometry are also analyzed in order to compare the measurements.
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Literatur
Kern W (1993) Handbook of semiconductor wafer cleaning technology: conventional RCA-type hydrogen peroxide mixtures. Noyes Publications, New Jersey
Lin L, Cheng YT, Najafi K (1998) Formation of silicon-gold eutectic bond using localized heating method. Jpn J Appl Phys Part II 11B:1412–1414CrossRef
Mescheder UM, Alavi M (2002) Local laser bonding for low temperature budget. Sens Actuators A 97(98):422–427
Sari F, Rupf M, Gillner A, Poprawe R (2005) Advances in selective laser radiation bonding of silicon and glass for microsystems. LIM 2005:791–796
Sari F, Wiemer M, Bernasch M, Bagdahn J (2008) Laser transmission bonding of silicon-to-silicon and silicon-to-glass for wafer-level packaging and microsystems. ECS Trans 16(8):561–568. doi:10.​1149/​1.​2982911
Wallis G, Pomerantz D (1969) Field assisted glass-metal sealing. J Apl Phys 40:3946–3949CrossRef
Witte R, Herfurth H, Heinemann S (2002) Laser joining of glass with silicon. Proc SPIE 4637:487–495CrossRef
Wolffenbuttel RF, Wise KD (1994) Low temperature silicon wafer-to-wafer bonding using gold at eutectic temperature. Sens Actuators A 43:223–229CrossRef
Ziaie B, Von Arx J, Dokmeci M, Najafi K (1996) A hermetic glass-silicon micropackage with high-density on-chip feedthroughs for sensors and actuators. J Microelectromech Syst 5:166–179CrossRef
Metadaten
Titel
Laser transmission bonding of silicon to silicon with metallic interlayers for wafer-level packaging
verfasst von
Anselm Wissinger
Alexander Olowinsky
Arnold Gillner
Reinhart Poprawe
Publikationsdatum
01.05.2013
Verlag
Springer-Verlag
Erschienen in
Microsystem Technologies / Ausgabe 5/2013
Print ISSN: 0946-7076
Elektronische ISSN: 1432-1858
DOI
https://doi.org/10.1007/s00542-012-1636-4

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