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01.01.2015 | Ausgabe 1/2015

Metallurgical and Materials Transactions A 1/2015

Current–Voltage and Capacitance–Conductance–Voltage Characteristics of Al/SiO2/p-Si and Al/Methyl Green (MG)/p-Si Structures

Zeitschrift:
Metallurgical and Materials Transactions A > Ausgabe 1/2015
Autoren:
Songül Duman, Fikriye Seyma Ozcelik, Bekir Gürbulak, Murat Gülnahar, Abdulmecit Turut
Wichtige Hinweise
Manuscript submitted April 2, 2014.

Abstract

The organic methyl green (MG) has been investigated for the first time for its electronic applications. In order to see the effect of organic MG layer on electrical characteristics of Al/p-Si diode, Al/MG/p-Si structure has been fabricated by inexpensive and simple “drop coating” method. The current–voltage (IV) and capacitance–conductance–voltage (CGV) characteristics of Al/SiO2/p-Si and Al/MG/p-Si structures have been investigated. The parameters such as ideality factor (n), barrier height (\( \Phi_{b} \)), series and shunt resistance, and the density of interface states have been investigated using current–voltage measurements, in dark and under illumination conditions at room temperature. The n and \( \Phi_{b} \) values of 1.56 and 0.81 eV for Al/SiO2/p-Si and 1.36 and 0.80 eV for Al/MG/p-Si are calculated from the forward bias IV characteristics. The \( \Phi_{b} \) value of the Al/SiO2/p-Si structure at room temperature is larger than that of conventional Al/p-Si diode. It is seen that the n value of 1.36 calculated for the Al/MG/p-Si structure is lower than most of the metal/organic compound/inorganic semiconductor devices.

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